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El Cd1-xZnxTe (0 < x < 0,1) (CZT) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina, debido a que poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos x y gamma, y también como sustrato ordenador de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde.
En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6 ºC/cm a una velocidad de 6 mm/día.
Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución HRTEM se estudia la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT poseen una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambas velocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una baja densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM muestran en ambos materiales un orden estructural importante. Estas características indican que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe es adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos.
Además, se determinaron conductividad eléctrica, difusividad térmica, calor específico y coeficiente Seebeck, en estos materiales como función de la temperatura. Se analiza la influencia de las propiedades estructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.