Conferencias de la Universidad Nacional de Córdoba, Congreso Internacional de Metalurgia y Materiales

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ANALISIS COMPUTACIONAL DE PELICULAS DE TiVN EN UN SISTEMA CRISTALINO FCC
Fernando Mesa, Carlos Rodriguez, Harold Duque

Última modificación: 07-09-2016

Resumen


En este trabajo se describen las celdas tipo fcc del compuesto TiVN, simuladas en el software Gaussian 98. El parámetro de red fue obtenido de los patrones de difracción mediante el método Rietveld. Para un porcentaje total de Vanadio de 11,11%, de titanio de 37,04% y nitrógeno 51,85%, los Átomos de vanadio sustituyen átomos de Titanio en la celda, ubicados de manera aleatoria, con dos distribuciones diferentes [1]. La distribución de carga es coherente con la electronegatividad de los elementos presentes, la superficie de densidad total de electrones es continua a través de toda la celda, la densidad de electrones alfa y beta presenta puntos anómalos debido a la ubicación en las esquinas de la configuración de los átomos de vanadio y al efecto borde.