El óxido de zinc (ZnO) es un semiconductor con especial interés debido a sus valores altos de energía de banda prohibida (3.36 eV) y energía de enlace excitónica (60 meV), lo que le permite ser ampliamente utilizado en la fabricación de dispositivos opto-electrónicos. Uno de sus retos más importantes es el control del dopaje tipo p, ya que la presencia de defectos puntuales nativos como el zinc intersticial (Zn_i) y las vacancias de oxigeno (V_O) actúan como un dopaje tipo n, lo que genera un fenómeno conocido como auto-compensación [1]. En este trabajo, estudiamos el efecto del recocido en las propiedades estructurales de películas de ZnO co-dopadas con aluminio y nitrógeno mediante las técnicas de microscopía Raman y difraccion de rayor X. Las películas se depositaron mediante la técnica de erosión catódica sobre substratos de silicio, a concentración de Aluminio constante y el flujo de nitrógeno se varió a 6, 12 y 15 sccm. En las muestras sin recocido, los espectros Raman presentan dos modos de vibración, en 581 y 275 cm^-1, los cuales son asociados al modo E₁ y B₁ del ZnO. El modo en 275 ha sido asociado a la incorporación de nitrógeno y defectos como Zn_i [2-4]. Las intensidades de ambos modos, I₂₇₅ y I₅₈₁, decrecen cuando el flujo de nitrógeno aumenta, sugiriendo que el incremento del flujo de nitrógeno mitiga la formación de defectos. Después del recocido, se observó que I₂₇₅ al inicio incrementa con la temperatura, alcanza un máximo alrededor de 500 ºC y disminuye a temperaturas superiores. Este comportamiento es explicado por un efecto combinado entre la disminución de defectos y el incremento del dopaje con nitrógeno. Mediciones de difracción de rayos X muestran que durante el recocido de las muestras los esfuerzos de tensión disminuyen y la calidad cristalina mejora.