El uso de la energía solar como fuente alternativa, ha cobrado mayor relevancia durante los últimos años mediante el desarrollo de dispositivos fotovoltaicos que convierten la radiación solar en energía eléctrica con la mejor eficiencia posible. En este trabajo se estudió la propuesta de una heteroestructura de tipo GaN/GaAs para su aplicación como dispositivo fotovoltaico utilizando un enfoque teórico a través de una simulación numérica de elemento finito en dos dimensiones (2D) con la finalidad de predecir el comportamiento eléctrico mediante la obtención de las curvas I-V, así como los parámetros característicos de las celdas [1]: corriente de corto circuito (Isc), voltaje de circuito abierto (Voc), factor de llenado (FF) y eficiencia para heteroestructuras con diferentes espesores y dopajes en cada una de sus capas. Como resultado, se estimaron eficiencias máximas de entre 23 y 25% para configuraciones tipo n-i-p  y n-p respectivamente, lo que permitió demostrar el potencial de esta propuesta para su aplicación en celdas solares.

Referencias

[1] J. Nelson, "The Physics of Solar Cells"; 2003, Imperial College Press.